Samsung начинает серийный выпуск DDR3 DRAM на 2 Гбит с использованием 30 нм технологии

Один из ведущих мировых поставщиков оперативной памяти компания Samsung Electronics приступила к массовому производству анонсированной ранее памяти Green DDR3 DRAM, обладающей плотностью 2 Гбит. Причем, при изготовлении данной памяти южнокорейский электронный гигант использует технологические нормы 30 нм класса.

Благодаря своей производительности и энергоэффективности новая память Green DDR3 DRAM с плотностью 2 Гбит от Samsung вполне может найти применение в серверных системах следующего поколения, оптимизированных для “облачных” вычислений и решения задач, связанных с виртуализацией.

Отметим, что при напряжении питания 1,35 вольта память Green DDR3 DRAM с плотностью 2 Гбит способна работать на частоте 1866 МГц, а при аналогичном показателе в 1,5 вольта – на частоте 2133 МГц. Подобные характеристики делают данную память пригодной для использования не только в серверах, но и в широком спектре настольных компьютеров, ноутбуков, нетбуков и мобильных устройств. Кроме того, в планах Samsung значится выпуск к концу текущего года памяти DDR3 DRAM плотностью 4 Гбит с использованием той же 30 нм технологии.

Источник новости: TechConnect Magazine