Первый в мире 40 нм чип памяти GDDR5 с плотностью 2 Гбит создан Hynix
Компания Hynix Semiconductor объявила, что ей удалось создать первый в мире чип памяти GDDR5 с плотностью 2 Гбит, разработанный с учетом норм 40 нм техпроцесса. Новый чип имеет показатель рабочего напряжения в 1,35 вольта, а его энергопотребление на 20 процентов ниже аналогичного показателя чипов, созданных по нормам 50 нм производственного процесса. Отметим, что при использовании 32-битного I/O интерфейса скорость работы с данными у нового 40 нм чипа достигает 28 Гб/с.
Чип Hynix GDDR5
Сообщается, что новый 40 нм чип памяти GDDR5 с плотностью 2 Гбит способен достичь ширины полосы пропускания данных в 7 Гбит/с. (то есть работать на частоте в 7000 МГц). Данная память предназначена для использования в видеокартах и игровых консолях и, очевидно, будет применяться в следующем поколении графических адаптерах NVIDIA и AMD. Остается добавить, что массовое производство 40 нм памяти GDDR5 с плотностью 2 Гбит должно начаться во второй половине 2010 года.
Источник новости: Tcmagazine