Toshiba совершенствует FeRAM, одну из самых перспективных технологий создания накопителей

Корпорация Toshiba объявила о создании нового FeRAM (Ferroelectric Random Access Memory – сегнетоэлектрическая энергонезависимая память с произвольным доступом к ячейкам).

Новый чип обладает более высокой плотностью записи, чем предыдущие образцы (128 Мбит). Кроме того, он способен обеспечить скорость чтения/записи до 1,6 Гбайт/сек. Полную спецификацию разработки компания представит на International Solid-State Circuits Conference 2009 (ISSCC2009) в Сан-Франциско.

На сегодняшний день это одна из самых перспективных разработок в области создания накопителей – память FeRAM по своим скоростным характеристикам сравнима с DRAM, но при этом является энергонезависимой. Toshiba намерена развивать технологию с целью ее внедрения в мобильные устройства, ноутбуки и другую портативную технику.