Компания Samsung сообщила о разработке чипов DRAM-памяти, произведённых по 50-нм технологическому процессу. Сотрудники южнокорейской корпорации при создании новых устройств использовали уникальные технологии, включая трёхмерную структуру транзисторов и многослойные диэлектрики.
50-нм чипы DRAM
3D-транзисторы призваны повысить производительность чипов и снизить энергопотребление благодаря более широкому электронному каналу. Формирование подобной структуры осуществляется путём использования техники селективного эпитаксиального наращивания. Многослойные диэлектрики позволяют инженерам говорить об увеличении ёмкости устройств и более высокой надёжности хранения информации. Многослойный диэлектрик представляет собой не что иное, как «бутерброд» из оксида циркония и оксида алюминия.
50-нм DRAM чипы характеризуются также повышенной вдвое частотой обновления ячеек памяти, чего удалось добиться благодаря технологии RCAT (Recess Channel Array Transistor).
Естественно, разработка представленного 50-нм DRAM-чипа является важным шагом на пути развития электронной памяти. Ранее Samsung уже представляла общественности 40-нм чипы флэш-памяти NAND, теперь очередь дошла и до совершенствования DRAM-продукции. Отметим, что переход на 50-нм техпроцесс позволит повысить эффективность производства чипов на 55%, по сравнению с 60-нм техпроцессом.
Пока массовое производство 50-нм DRAM-чипов намечено на 2008 год, однако только к 2011 году подобные устройства перейдут в разряд мэйнстрим-продукции.
Источник новости: CDRinfo