Компания Samsung не желает ограничивать себя лишь традиционными устройствами хранения информации – параллельно с разработкой уникальных чипов флэш-памяти инженеры и исследователи занимались и созданием памяти нового поколения.
512Mb_PRAM
Устройства, известные как PRAM-чипы (Phase-change Random Access Memory, или память с произвольным доступом на основе фазовых превращений), станут заменой современным NOR-решениям. Особенностями чипов PRAM являются – более высокая (примерно в 30 раз) производительность, повышенная скорость чтения/записи информации, более длительное время хранения информации и количество циклов записи данных. Более того, PRAM-устройства вдвое компактнее, нежели чипы флэш-памяти NOR, причём производство новинок будет обходиться на 20% дешевле – всё это позволяет говорить о широких перспективах памяти на основе фазосменных процессов.
Планируется, что в коммерческое использование чипы попадут уже в начале 2008 года, а ёмкость первых устройств составит 512 Мбит. Что касается более длительной перспективы, то и здесь у PRAM-памяти есть все шансы стать массовым продуктом, и отобрать значительную долю мирового рынка у сверхпопулярной сегодня флэш-памяти.
Источник новости: Samsung