Производительность и энергопотребление микропроцессоров зависят не только от архитектуры чипов и реализации специальных технологий, но и в значительной степени от техпроцесса и свойств элементарных составляющих – транзисторов. Именно они стали объектом модификации, которую осуществили сотрудники компании Intel с целью повышения скорости переключения транзисторов, снижению токов утечки, и как следствие, снижению потребляемой мощности конечными продуктами. Достижением инженеров Intel является формирование трёхмерной структуры транзисторов, сообщают представители ведущего чипмейкера на проходящем на Гавайях симпозиуме VLSI Technology Symposium.
На текущий момент абсолютное большинство чипмейкеров производит микропроцессоры по планарной технологии формирования структуры транзисторов на полупроводниковой пластине (в частности, на кремниевых пластинах). Теперь, похоже, приходит время более совершенных «объёмных» структур, сформированных не только на поверхности подложки, но и внутри неё. При этом технологи будут использовать такие «инструменты», как high-k диэлектрики, которые обладают хорошими изолирующими свойствами, а также создают высокое ёмкостное сопротивление, а также технологию напряжённого кремния, что позволяет повысить скорость переключения транзисторов и тем самым повысить производительность чипов.
Согласно информации от представителей компании Intel, подобные структуры будут применяться для изготовления чипов по 32-нм техпроцессу, а первое коммерческое использование трёхмерных транзисторов состоится в 2009 году. Естественно, подобные технологии будут использованы и для более прогрессивных процессоров, в том числе, и 22-нм устройств, которые появятся ближе к 2011 году.
Источник новости: Intel